Øvingsoppgaver PHYS321: Difference between revisions
From ift
No edit summary |
mNo edit summary |
||
| Line 3: | Line 3: | ||
=== Øving i bruk av IC Studio === | === Øving i bruk av IC Studio === | ||
Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av [[ | Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av [[IC_Studio]] | ||
Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). | Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). | ||
Revision as of 12:18, 12 May 2009
Øvingsoppgaver PHYS321
Øving i bruk av IC Studio
Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av IC_Studio
Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). Bruk hierarkisk skjema, der hver hovedfunksjon har sitt underskjema.
- Tegn skjema
- Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal
- Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp.
