Øvingsoppgaver PHYS321: Difference between revisions
From ift
mNo edit summary |
mNo edit summary |
||
| (6 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||
| Line 1: | Line 1: | ||
=== Øving i bruk av IC Studio === | === Øving i bruk av IC Studio === | ||
Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av [[ | Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av [[IC_studio|IC Studio]] | ||
Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). | Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). | ||
| Line 9: | Line 7: | ||
# Tegn skjema | # Tegn skjema | ||
# Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal | # Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal. (Sjekk skrivestabilitet og lesestabilitet) | ||
# Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. | # Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. Sjekk LVS og DRC. | ||
=== VHDL === | |||
Utfyllende tekst kommer | |||
[[Category:Mikroelektronikk]] | [[Category:Mikroelektronikk]] | ||
Latest revision as of 12:49, 5 March 2015
Øving i bruk av IC Studio
Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av IC Studio
Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). Bruk hierarkisk skjema, der hver hovedfunksjon har sitt underskjema.
- Tegn skjema
- Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal. (Sjekk skrivestabilitet og lesestabilitet)
- Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. Sjekk LVS og DRC.
VHDL
Utfyllende tekst kommer
